碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级），具有优良的导热性能，是一种半导体，高温时能抗氧化。
碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为最常见的一种同质异晶物，在高于2000 °C高温下形成，具有六角晶系结晶构造（似纤维锌矿）。β-碳化硅，立方晶系结构，与钻石 [13]相似，在低于2000 °C时生成。在异相催化剂载体的应用上，β-碳化硅因其比α-碳化硅具有更高的比表面积而备受关注。还有另一种碳化硅，μ-碳化硅，最为稳定，碰撞时能发出较为悦耳的声音。然而到目前为止，这两种型态的碳化硅还没有在商业上得到应用。
由于碳化硅的比重为3.1 g/cm3，而且升华温度相对较高（约2700 °C） [1]，因此他非常适合做为轴承或高温炉的原料。在任何能达到的压力下，它都不会熔化，并且具有相当低的化学活性。由于碳化硅热导性高、崩溃电场强度高，以及拥有最高电流密度，有人尝试将其用作替代硅的材料，特别是在半导体高功率元件的应用中。此外，碳化硅与微波辐射有很强的耦合作用，并且由于其具有高升华点，使其可应用于加热金属。
纯碳化硅是无色的，但在工业生产中，由于含有铁等不纯物质的存在，其颜色通常呈棕色至黑色。晶体表面呈现出彩虹般的光泽是因为形成了一层二氧化硅的保护层。 [10]
SiC是一种半导体，通过掺杂改变 SiC 材料的能级结构，并进一步调控其性能，主要使用离子注入手段进行 Al、B、N等原子的掺杂。其中:Al等受主原子更容易取代SiC 晶格中的 Si的位置而形成深受主能级，从而得到P型半导体；而 N和P等施主原子更容易占据 C的晶格位置而形成浅施主能级， [11]从而得到N型半导体。值得注意的是，,SiC具有其他宽带隙半导体没有的宽掺杂范围(1X1014—1X1019 cm-3)， [12]其能在该范围内轻松实现N型和P型掺杂，如使用 AI掺杂后4H-SiC单晶的电阻率低至 5 Ω·cm。
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